常规功率循环测试也被称为主动温度循环。KC3130可 测试 Si/SiC/GaN/GaAs 材料的 IGBT、MOSFET 和二极管等不同类型功率器件，包括焊接式封装和压接式封装、硅基和碳化硅基等大功率器件可靠性测试

金凯博功率半导体高精度静态特性测试系统KC-3110，基于全新三代半SiC, GaN器件和模块以及车规级模块的新兴要求而进行的一次高标准产品开发。本系统可以在3KV和1000/2000A的条件下实现精确测量和参数分析，漏电流测试分辨率高达fA级，电压测试分阱率最高可这nV级，以及3000V高压下的寄生电容的精密测量。全自动程控软件，图型化上位机操作界面。内置开关切换矩阵保证测试效率。模块化结构设计预留升级扩展潜能。测试接口可外挂各类夹具和适配器，还能够通过专用接口连接各种Handler：如分选机、机械手、探针台、编带机等。

KC-3130 热阻&热特性智能检测系统采用 4 工位同步采样架构，搭载 120A/15V 独立加热电源与最高 1MHz 连续变频采样技术，支持 SAT、MOS_Diode、Body_Diode、Rds_on 四种测试模式。系统配备 JULABO 高精度硅油温控设备（温度稳定性 ±0.01℃），可完成从器件加热、结温降曲线采集，到基于 3~16 阶 Foster 模型的 Zth 瞬态热阻抗拟合，以及结构函数、微分结构函数、局域结构函数的完整热特性分析输出，是功率器件研发验证、可靠性筛选与产线热测试的理想设备。

设备简介KC3120功率半导体动态参数测试系统可针对各类型 GaN、Si基及SiC基二极管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各项动态参数测试，如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、输入电容、输出电容、反向转移电容、短路。通过更换不同的测试单元以达到对应测试内容，通过软件切换可以选择测试单元、测试项目及配置测试参数、 读取保存测试结果。

设备简介KC3111功率半导体高精度静态特性测试系统（面向工厂生产端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模块以及车规级模块的新兴要求而进行的一次高标准产品开发。脉冲信号源输出方面，高压源标配2000V（选配3.5KV）,高流源标配1KA（选配4KA多模块并联）,栅极电压30V。采用多量程设计架构，各量程下均可保证0.1%精度，具有uΩ级精确测量，pA 级漏电流测量能力。全自动程控软件，图型化上位机操作界面。内置开关切换矩阵保证测试效率。模块化结构设计预留升级扩展潜能。测试接口可外挂各类夹具和适配器，还能够通过专用接口连接各种Handler：如分选机、机械手、探针台、编带机等。

KC-3105 测试系统中可同时完成HTRB和DHTRB测试，整体架构模块化，通讯协议、通讯接口等采用统一标准，便于后期扩展和维护。该系统集成度高、应用覆盖面广，系统采用软、硬件一体化设计且功能丰富，在保证系统稳定运行的同时，可以快速满足功率半导体可靠性测试需求。